BSS169H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS169H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS169H6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| RDS(on) Maximum | 6 Ohm at VGS=0 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] | -55 C to +150 C (junction) |
| العلبة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | Depletion-mode vertical DMOS | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Drain Current at 25C | 170 mA continuous | — |
| Typical RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| عدد الدبابيس | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |