BSS169H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS169H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
پنز کی تعداد — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں