BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP296NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
العلبة PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 1.2 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 600 mOhm
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Packaging — Tape & Reel, 1000 pcs/reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر