BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NWH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP296NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Paket PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 1.2 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 600 mOhm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Packaging — Tape & Reel, 1000 pcs/reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin