BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS214NWH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP296NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-223 | Infineon

BSP296NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-223 | Infineon

BSP296NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
पैकेज PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 1.2 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 600 mOhm
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Packaging — Tape & Reel, 1000 pcs/reel

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