BSS306NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS306NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS138NH6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS306NH6327XTSA1 | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS306NH6327XTSA1 | — |
| Part Family | BSS306N (OptiMOS Small Signal) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| RDS(on) max | [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max in V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] | — |
| العلبة | SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin | PG-SOT-23 (3-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Lead Plating | Pb-free (RoHS compliant) | Pb-free |
| Configuration | Single N-Channel, 3-pin | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |