BSS316NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS316NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS316NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
نوع الترانزستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C
العلبة / الحالة — PG-SOT23 (SOT-23-3)
عدد الدبابيس — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر