BSS87H6327FTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon و BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS87H6327FTSA1 BSL308CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
العلبة PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
عدد الأطراف 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر