BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ017NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon و BSZ036NE2LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 50 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
حالة RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
مستوى MSL — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر