BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ017NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 50 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
MSL Seviyesi — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin