BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ017NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और BSZ036NE2LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 50 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +150°C —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C
MSL स्तर — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

डेटाशीट और संसाधन

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