BSZ036NE2LSATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ036NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSO150N03MDGXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSO150N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Channel MOSFET, 9.3A, OptiMOS 3M | Infineon
BSO150N03MDGXUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ036NE2LSATMA1 | BSO150N03MDGXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +150C |
| مستوى MSL | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Part Number | — | BSO150N03MDGXUMA1 |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Technology | — | OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) max per channel | — | 9.3 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 15 mOhm at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.0 V |
| Power Dissipation (PD) max | — | 1.4 W |
| Channel Configuration | — | Dual N-Channel (independent) |