BSZ036NE2LSATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ036NE2LSATMA1 bằng Infineon và BSO150N03MDGXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSO150N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Channel MOSFET, 9.3A, OptiMOS 3M | Infineon
BSO150N03MDGXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ036NE2LSATMA1 | BSO150N03MDGXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Part Number | — | BSO150N03MDGXUMA1 |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Technology | — | OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) max per channel | — | 9.3 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 15 mOhm at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.0 V |
| Power Dissipation (PD) max | — | 1.4 W |
| Channel Configuration | — | Dual N-Channel (independent) |