BSZ0501NSIATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0501NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC0501NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) OptiMOS 5 25V/30V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj max] —
حالة RoHS Compliant Compliant
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Technology — Trench-gate OptiMOS 5

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر