BSZ0501NSIATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0501NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC0501NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) OptiMOS 5 25V/30V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
מארז PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Technology — Trench-gate OptiMOS 5

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר