BSZ0501NSIATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ0501NSIATMA1 bằng Infineon và BSC0501NSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ0501NSIATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ0501NSIATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Part Number | BSZ0501NSIATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS 5 (25V/30V) | OptiMOS 5 25V/30V |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at TC=25C | 50 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 8 | — |
| JESD-609 Code | e3 (matte tin) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Technology | — | Trench-gate OptiMOS 5 |