BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon و BSZ096N10LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ065N03LSATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
العلبة / الحالة PG-TSDSON-8-FL (S308) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
On-Resistance RDS(on) max — 9.6 mΩ at VGS=10 V
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
العلبة — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر