BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N03LSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ096N10LS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ065N03LSATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Paket / Kas PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
On-Resistance RDS(on) max — 9.6 mΩ at VGS=10 V
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
Paket — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin