BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ096N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ065N03LSATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
پیکیج / کیس PG-TSDSON-8-FL (S308) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
On-Resistance RDS(on) max — 9.6 mΩ at VGS=10 V
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
پیکیج — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں