CGD65B130S2 vs CGD65B130SH2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CGD65B130S2 بواسطة Cambridge GaN Devices و CGD65B130SH2 بواسطة Cambridge GaN Devices. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 ✓ نشط
Cambridge GaN Devices
CGD65B130SH2 CGD65B130SH2 - 650V, 12A GaN HEMT, 8-DFN | Cambridge GaN

CGD65B130SH2 - 650V, 12A GaN HEMT, 8-DFN | Cambridge GaN

CGD65B130SH2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل CGD65B130S2 CGD65B130SH2
العلامة التجارية Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
نوع الترانزستور GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) 130 mΩ (typical) —
Continuous Drain Current (ID) 12 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero) —
العلبة 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad 8-DFN (5x6 mm), Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Rise Time / Fall Time Sub-nanosecond (per datasheet typical application) —
مستوى MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant —
Substrate Technology GaN-on-silicon —
Part Number — CGD65B130SH2
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 12 A
On-Resistance RDS(on) (typical, per product page) — 55 mΩ
On-Resistance RDS(on) (max at 900 mA / 12 V) — 182 mΩ
On-Resistance Range (datasheet) — 130 to 350 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.2 V to 4.2 V
Total Gate Charge Qg — 1.9 nC
Technology — GaN-on-silicon (ICeGaN®)
Integrated Features — ICeGaN® gate, Current Sense, NL³ protection circuit
Operating Mode — Enhancement-mode (normally-off)
Compliance / RoHS — Compliant (per DigiKey listing)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر