CGD65B130SH2 vs CGD65B130S2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CGD65B130SH2 بواسطة Cambridge GaN Devices و CGD65B130S2 بواسطة Cambridge GaN Devices. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | CGD65B130SH2 | CGD65B130S2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Part Number | CGD65B130SH2 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode) | GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) (typical, per product page) | 55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) (max at 900 mA / 12 V) | 182 mΩ | — |
| On-Resistance Range (datasheet) | 130 to 350 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.2 V to 4.2 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 1.9 nC | — |
| Technology | GaN-on-silicon (ICeGaN®) | — |
| Integrated Features | ICeGaN® gate, Current Sense, NL³ protection circuit | — |
| العلبة | 8-DFN (5x6 mm), Surface Mount | 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement-mode (normally-off) | — |
| Compliance / RoHS | Compliant (per DigiKey listing) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 130 mΩ (typical) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 12 A |
| Gate Technology | — | ICeGaN™ (standard-driver compatible) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (zero) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: input capacitance] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: output capacitance] |
| Rise Time / Fall Time | — | Sub-nanosecond (per datasheet typical application) |
| مستوى MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Substrate Technology | — | GaN-on-silicon |