DG411 vs DG413 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ DG411 بواسطة Analog Devices و DG413 بواسطة Analog Devices. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل DG411 DG413
العلامة التجارية Analog Devices Analog Devices
الفئة Logic ICs Logic ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Switch Configuration 4 x SPST (normally open) Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (Max) 35 ohm —
On-Resistance Matching (Max) 3 ohm —
On-Resistance Flatness (Max) 4 ohm —
Supply Voltage Range Single-ended up to 44V, or split +/-20V —
Signal Handling 40VP-P signals —
Logic Input Compatibility TTL and CMOS —
Signal Direction Bilateral (conducts equally in either direction) —
Number of Circuits 4 —
العلبة 16-SOIC SOIC-16 (DY suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology High-voltage silicon-gate CMOS with epitaxial layer (latch-up immune) High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Drop-in Replacement For DG211 / DG212 series —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
تيار التغذية [DATA_NEEDED: analog supply current] —
Switching Time [DATA_NEEDED: ton/toff switching time] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
On-Resistance (rDS on) — 35 ohm max
Turn-On Time (tON) — 150 ns max
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Dual Supply Range — ±4.5 V to ±20 V
Analog Signal Range — 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Power Dissipation — 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Charge Injection — Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Number of Channels — 4

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر