DG411 vs DG413 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של DG411 מאת Analog Devices ו DG413 מאת Analog Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר DG411 DG413
מותג Analog Devices Analog Devices
קטגוריה Logic ICs Logic ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Switch Configuration 4 x SPST (normally open) Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (Max) 35 ohm —
On-Resistance Matching (Max) 3 ohm —
On-Resistance Flatness (Max) 4 ohm —
Supply Voltage Range Single-ended up to 44V, or split +/-20V —
Signal Handling 40VP-P signals —
Logic Input Compatibility TTL and CMOS —
Signal Direction Bilateral (conducts equally in either direction) —
Number of Circuits 4 —
מארז 16-SOIC SOIC-16 (DY suffix)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology High-voltage silicon-gate CMOS with epitaxial layer (latch-up immune) High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Drop-in Replacement For DG211 / DG212 series —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
זרם אספקה [DATA_NEEDED: analog supply current] —
Switching Time [DATA_NEEDED: ton/toff switching time] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
On-Resistance (rDS on) — 35 ohm max
Turn-On Time (tON) — 150 ns max
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Dual Supply Range — ±4.5 V to ±20 V
Analog Signal Range — 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Power Dissipation — 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Charge Injection — Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Number of Channels — 4

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר