DG411 vs DG413 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma DG411 tarafından Analog Devices ve DG413 tarafından Analog DevicesAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre DG411 DG413
Marka Analog Devices Analog Devices
Kategori Logic ICs Logic ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Switch Configuration 4 x SPST (normally open) Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (Max) 35 ohm —
On-Resistance Matching (Max) 3 ohm —
On-Resistance Flatness (Max) 4 ohm —
Supply Voltage Range Single-ended up to 44V, or split +/-20V —
Signal Handling 40VP-P signals —
Logic Input Compatibility TTL and CMOS —
Signal Direction Bilateral (conducts equally in either direction) —
Number of Circuits 4 —
Paket 16-SOIC SOIC-16 (DY suffix)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology High-voltage silicon-gate CMOS with epitaxial layer (latch-up immune) High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Drop-in Replacement For DG211 / DG212 series —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Besleme Akımı [DATA_NEEDED: analog supply current] —
Switching Time [DATA_NEEDED: ton/toff switching time] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
On-Resistance (rDS on) — 35 ohm max
Turn-On Time (tON) — 150 ns max
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Dual Supply Range — ±4.5 V to ±20 V
Analog Signal Range — 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Power Dissipation — 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Charge Injection — Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Number of Channels — 4

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin