EP3SE110F780I3N vs EP3SE50F780I3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE110F780I3N بواسطة Intel و EP3SE50F780I3G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE110F780I3N EP3SE50F780I3G
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS TSMC 40 nm
العلبة 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial, I3)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 3
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر