EP3SE110F780I3N vs EP3SE50F780I3G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE110F780I3N מאת Intel ו EP3SE50F780I3G מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE110F780I3N EP3SE50F780I3G
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS TSMC 40 nm
מארז 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
טמפרטורת פעולה -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial, I3)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 3
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
סוג הרכבה Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר