EP3SE110F780I3N vs EP3SE50F780I3G तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE110F780I3N द्वारा Intel और EP3SE50F780I3G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE110F780I3N EP3SE50F780I3G
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS TSMC 40 nm
पैकेज 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial, I3)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 3
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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