EP3SE260F1152C4N vs EP3SE260F1152C3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260F1152C4N بواسطة Intel و EP3SE260F1152C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260F1152C4N EP3SE260F1152C3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
Series Stratix III E Stratix III E
Family Stratix III (Enhanced) —
Logic Elements (LEs) 255,000 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
Maximum User I/Os 744 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
DSP / 18x18 Multipliers 768 embedded multipliers —
Process Technology 65 nm CMOS 65 nm
Core Voltage 1.1 V 1.1 V
Maximum Operating Frequency 450 MHz —
العلبة 1152-ball FC-FBGA (flip-chip) 1152-BBGA, FCBGA
Speed Grade -4 (commercial temperature) —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (commercial, 'C' suffix) 0 C to +85 C (Commercial)
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Lead-Free / RoHS Lead-free finish (RoHS compliant per distributor listing) —
نوع الذاكرة SRAM-based, volatile (requires configuration device) —
Configuration External EPCS / enhanced configuration via AS, PS, JTAG, or FPP —
Product Status Obsolete (per Xecor cross-reference data) —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Transceivers — Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks — Yes (dedicated multiplier/accumulator)
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر