EP3SE260F1152C4N vs EP3SE260F1152C3N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1152C4N द्वारा Intel और EP3SE260F1152C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260F1152C4N EP3SE260F1152C3N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
Series Stratix III E Stratix III E
Family Stratix III (Enhanced) —
Logic Elements (LEs) 255,000 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
Maximum User I/Os 744 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
DSP / 18x18 Multipliers 768 embedded multipliers —
Process Technology 65 nm CMOS 65 nm
Core Voltage 1.1 V 1.1 V
Maximum Operating Frequency 450 MHz —
पैकेज 1152-ball FC-FBGA (flip-chip) 1152-BBGA, FCBGA
Speed Grade -4 (commercial temperature) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (commercial, 'C' suffix) 0 C to +85 C (Commercial)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Lead-Free / RoHS Lead-free finish (RoHS compliant per distributor listing) —
मेमोरी प्रकार SRAM-based, volatile (requires configuration device) —
Configuration External EPCS / enhanced configuration via AS, PS, JTAG, or FPP —
Product Status Obsolete (per Xecor cross-reference data) —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Transceivers — Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks — Yes (dedicated multiplier/accumulator)
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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