EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517C3N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260F1517C4N بواسطة Intel و EP3SE260F1517C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517C3N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | آخر فرصة للشراء |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 254,400 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | — |
| Maximum User I/Os | 976 | — |
| العلبة | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA (FCBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | 600 Mbps |
| User I/Os | — | 976 |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | — | 816 |
| M9K Memory Blocks | — | 1,040 |
| PLLs | — | 4 |
| Global Clock Networks | — | 16 |
| Process Technology | — | 65 nm TSMC low-power CMOS |
| Speed Grade | — | C3 (commercial) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | 0 C to +85 C (commercial) |
| External Memory Interfaces | — | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 |