EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517C3N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE260F1517C4N מאת Intel ו EP3SE260F1517C3N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517C3N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | רכישה אחרונה |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 254,400 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | — |
| Maximum User I/Os | 976 | — |
| מארז | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA (FCBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | 600 Mbps |
| User I/Os | — | 976 |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | — | 816 |
| M9K Memory Blocks | — | 1,040 |
| PLLs | — | 4 |
| Global Clock Networks | — | 16 |
| Process Technology | — | 65 nm TSMC low-power CMOS |
| Speed Grade | — | C3 (commercial) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | 0 C to +85 C (commercial) |
| External Memory Interfaces | — | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 |