EP3SE50F484I3N vs EP3SE50F484I4G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE50F484I3N بواسطة Intel و EP3SE50F484I4G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE50F484I3N EP3SE50F484I4G
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 47,500 47,500 LE
Number of LABs 1,900 —
Total Memory Bits 5,760,000 —
Maximum User I/O 296 —
Number of I/O Banks [DATA_NEEDED: number of I/O banks] —
Core Voltage VCC 0.9 V —
Auxiliary Voltage VCCAUX 1.1 V —
Process Technology 65 nm 40 nm low-power CMOS
Maximum Internal Frequency 500 MHz —
Speed Grade I3 (industrial, bin 3) 4
درجة حرارة التشغيل -40C to +100C (industrial) -40C to +100C (industrial)
العلبة 484-pin FC-FBGA (flip-chip BGA) 484-Ball FCBGA (FineLine BGA)
نوع التركيب Surface Mount (BGA) —
Lead-Free / RoHS Yes (N suffix) —
Configuration Method Active serial (AS), passive serial (PS), JTAG, fast passive parallel (FPP) —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks] —
Embedded Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: number of 18x18 multipliers] —
Transceiver Count [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers] Up to 12 (Stratix III E family)
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Embedded Memory — 5.49 Mbit
User I/Os — 296 I/O
جهد التغذية التشغيلي — 1.1 V (core)
نمط التركيب — SMD/SMT
حالة RoHS — Compliant (lead-free 'G' suffix)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II/II+

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر