EP4CE30F19A7N vs EP4CE30F19C7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE30F19A7N بواسطة Intel و EP4CE30F19C7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE30F19A7N | EP4CE30F19C7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements | 28,848 | 28,880 |
| Embedded Memory Bits | 608,256 (76 KB) | — |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| User I/O Count | 193 | — |
| عدد الدبابيس | 324 | — |
| العلبة | FBGA-324 (F19) | FBGA-256 (F19) |
| Process Technology | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.0 V / 1.2 V | 1.0 V (typical) |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | 66 |
| General-Purpose PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| درجة حرارة التشغيل | Automotive / Industrial grade | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial, Passive Serial | JTAG, AS, PS, FPP |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Speed Grade | 7 | -7 (fastest commercial) |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Embedded Memory | — | 594 Kbits (M9K blocks) |
| Maximum User I/O | — | 329 |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C junction) |
| Process Node | — | 60 nm low-power |
| I/O Standards | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL |
| External Memory Interface | — | DDR, DDR2, QDRII SRAM |
| Lead-Free | — | Yes |