EP4CE30F19A7N vs EP4CE30F19C7N Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CE30F19A7N tarafından Intel ve EP4CE30F19C7N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | EP4CE30F19A7N | EP4CE30F19C7N |
|---|---|---|
| Marka | Intel | Intel |
| Kategori | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements | 28,848 | 28,880 |
| Embedded Memory Bits | 608,256 (76 KB) | — |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| User I/O Count | 193 | — |
| Pin Sayısı | 324 | — |
| Paket | FBGA-324 (F19) | FBGA-256 (F19) |
| Process Technology | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.0 V / 1.2 V | 1.0 V (typical) |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | 66 |
| General-Purpose PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| İşletim Sıcaklığı | Automotive / Industrial grade | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial, Passive Serial | JTAG, AS, PS, FPP |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Speed Grade | 7 | -7 (fastest commercial) |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Embedded Memory | — | 594 Kbits (M9K blocks) |
| Maximum User I/O | — | 329 |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C junction) |
| Process Node | — | 60 nm low-power |
| I/O Standards | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL |
| External Memory Interface | — | DDR, DDR2, QDRII SRAM |
| Lead-Free | — | Yes |