EP4CE30F19A7N vs EP4CE30F19C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE30F19A7N द्वारा Intel और EP4CE30F19C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE30F19A7N | EP4CE30F19C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements | 28,848 | 28,880 |
| Embedded Memory Bits | 608,256 (76 KB) | — |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| User I/O Count | 193 | — |
| पिन की संख्या | 324 | — |
| पैकेज | FBGA-324 (F19) | FBGA-256 (F19) |
| Process Technology | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.0 V / 1.2 V | 1.0 V (typical) |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | 66 |
| General-Purpose PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | Automotive / Industrial grade | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial, Passive Serial | JTAG, AS, PS, FPP |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Speed Grade | 7 | -7 (fastest commercial) |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Embedded Memory | — | 594 Kbits (M9K blocks) |
| Maximum User I/O | — | 329 |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C junction) |
| Process Node | — | 60 nm low-power |
| I/O Standards | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL |
| External Memory Interface | — | DDR, DDR2, QDRII SRAM |
| Lead-Free | — | Yes |