EP4CGX50DF23C7N vs EP4CGX50DF23I7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX50DF23C7N بواسطة Intel و EP4CGX50DF23I7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CGX50DF23C7N | EP4CGX50DF23I7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV |
| Logic Elements | 49,888 | — |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,118 | 3,118 |
| Total RAM Bits | 2,432 Kbit (≈ 304 KB) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 2 | — |
| Global Clock Networks | 8 (with up to 16 clock pins per region) | — |
| Number of I/O Pins | 290 | — |
| Transceivers | Up to 8 channels, 3.125 Gbps | — |
| Process Technology | 60 nm | 60 nm |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| العلبة | 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm) | 484-ball FBGA (BGA-484) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | — |
| Supported Memory Interfaces | DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free variant) | Compliant |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | — |
| Series | — | Cyclone IV GX |
| Logic Elements (LE) | — | 49,888 |
| Embedded Memory | — | 2,562 Kbit |
| Number of Logic Cells | — | 49,888 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Maximum User I/O Pins | — | 290 |
| Number of Transceivers | — | 8 (3.125 Gbps) |
| Package Body Size | — | 23 x 23 mm |
| Ball Pitch | — | 1.00 mm |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40 C to +100 C |
| Speed Grade | — | I7 |
| Number of PLLs | — | 4 |