EP4CGX50DF23C7N vs EP4CGX50DF23I7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX50DF23C7N द्वारा Intel और EP4CGX50DF23I7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX50DF23C7N | EP4CGX50DF23I7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV |
| Logic Elements | 49,888 | — |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,118 | 3,118 |
| Total RAM Bits | 2,432 Kbit (≈ 304 KB) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 2 | — |
| Global Clock Networks | 8 (with up to 16 clock pins per region) | — |
| Number of I/O Pins | 290 | — |
| Transceivers | Up to 8 channels, 3.125 Gbps | — |
| Process Technology | 60 nm | 60 nm |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| पैकेज | 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm) | 484-ball FBGA (BGA-484) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | — |
| Supported Memory Interfaces | DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free variant) | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Series | — | Cyclone IV GX |
| Logic Elements (LE) | — | 49,888 |
| Embedded Memory | — | 2,562 Kbit |
| Number of Logic Cells | — | 49,888 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Maximum User I/O Pins | — | 290 |
| Number of Transceivers | — | 8 (3.125 Gbps) |
| Package Body Size | — | 23 x 23 mm |
| Ball Pitch | — | 1.00 mm |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40 C to +100 C |
| Speed Grade | — | I7 |
| Number of PLLs | — | 4 |