EPF6010ATI100-2N vs EPF6010ATC100-3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EPF6010ATI100-2N بواسطة Intel و EPF6010ATC100-3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل EPF6010ATI100-2N EPF6010ATC100-3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة Obsolete آخر فرصة للشراء
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
System Gates 10,000 —
Logic Elements / Cells 880 880
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
Maximum User I/O 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Core Supply Voltage 3.3 V —
I/O Supply Voltage 3.3 V (5 V tolerant input) —
Maximum Internal Frequency 166.67 MHz 142.86 MHz
Configuration Method SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG —
العلبة TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +85 °C (Industrial) —
حالة RoHS Unknown - legacy Altera-era product Compliant
Lead-Free Unknown —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
درجة حرارة التشغيل — 0 °C to +70 °C (commercial)
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر