FDV301N vs BSS138LT1G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FDV301N بواسطة onsemi و BSS138LT1G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل FDV301N BSS138LT1G
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS —
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر