FDV301N vs BSS138LT1G موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDV301N بذریعہ onsemi اور BSS138LT1G بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDV301N BSS138LT1G
برانڈ onsemi onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS —
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں