H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHCR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHI بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHCR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | — |
| الواجهة | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 SSTL12 |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |