H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHCR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-UHI द्वारा SK hynix और H5AN4G8NBJR-UHCR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHCR
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
संगठन 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
पैकेज FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Grade Industrial (-UHI suffix) —
डेटा दर 2400 MT/s —
इंटरफ़ेस JEDEC DDR4 SDRAM DDR4 SSTL12
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Termination On-die termination (ODT) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V (VDD)
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel

डेटाशीट और संसाधन

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