H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G4NAFR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NAFR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
التنظيم 1G x 4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
العلبة FBGA-78 —
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
الواجهة Synchronous, differential clock CK_t/CK_c DDR4 (JEDEC-standard)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Lead-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
خالٍ من الهالوجين Yes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Memory Density — 8 Gb
جهد التغذية — 1.2 V
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر