H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G4NAFR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G4NAFR-RDC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| संगठन | 1G x 4 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 | — |
| Data Rate Class | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] | — |
| इंटरफ़ेस | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |