H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-RDC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G4NAFR-RDC от SK hynix и H5AN8G6NAFR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,30 $3,05
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
Организация памяти 1G x 4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус FBGA-78 —
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
Интерфейс Synchronous, differential clock CK_t/CK_c DDR4 (JEDEC-standard)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (Lead-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Без галогенов Yes —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Memory Density — 8 Gb
Напряжение питания — 1.2 V
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену