H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G4NAFR-RDC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.30 | $3.05 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 4 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 | — |
| Data Rate Class | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] | — |
| 인터페이스 | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |