H5AN8G6NAFR-PBC vs MT40A512M16JY-075E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-PBC بواسطة SK hynix و MT40A512M16JY-075E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-PBC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| نوع الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| العلبة | TFBGA-96 (rectangular) | 96-FBGA (8x14) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Composition | CMOS | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| معدل البيانات | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| الواجهة | — | Parallel |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| الميزات | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |