H5AN8G6NAFR-PBC vs MT40A512M16JY-075E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NAFR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix ও MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5AN8G6NAFR-PBC MT40A512M16JY-075E
ব্র্যান্ড SK hynix Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
ইন্টারফেস টাইপ DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
প্যাকেজ TFBGA-96 (rectangular) 96-FBGA (8x14)
Number of Terminals 96 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
ডেটা রেট — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
ইন্টারফেস — Parallel
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট