H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NAFR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit 8 Gb
التنظيم 512M x 16 512M x 16
جهد التغذية 1.2 V 1.2 V
معدل البيانات 2400 MT/s —
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
العلبة 96-ball FBGA (TFBGA) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
الواجهة — DDR4 (JEDEC-standard)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر