H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-XNC بواسطة SK hynix و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | $55.68 | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| العلبة | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| الواجهة | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0 C to +95 C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| حالة RoHS | — | Compliant |